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被動元件龍頭國巨計劃轉(zhuǎn)型成為IDM公司
在過去的5到10年里，國巨一直在穩(wěn)步發(fā)展，通過并購和私募股權(quán)投資，有意識地投資于新的公司集團。
2024-06-03
英特爾、微軟、博通等八巨頭聯(lián)手推出UALink標準
據(jù)報道，英特爾、谷歌、微軟、Meta以及其他科技巨頭宣布成立一個新的行業(yè)組織——“Ultra Accelerator Link (UALink) 推廣組”。
2024-06-01
三星電子推進eMRAM內(nèi)存制程升級 8nm版本基本完成開發(fā)
三星電子代表在韓國“AI-PIM 研討會”上表示，正按計劃逐步推進eMRAM內(nèi)存的制程升級，目前8nm eMRAM的技術(shù)開發(fā)已基本完成。作為一種新型內(nèi)存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM內(nèi)存一樣不斷刷新數(shù)據(jù)，更為節(jié)能高效；同時MRAM的寫入速度又是NAND的1000倍，支持對寫入速率要求更高的應(yīng)用。
2024-05-31
1-4月份集成電路產(chǎn)量1354億塊 同比增長37.2%
近日，工信部官網(wǎng)顯示，1—4月，我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)穩(wěn)步增長，出口恢復(fù)向好，效益持續(xù)改善，投資保持較快增長，行業(yè)整體增勢明顯。
2024-05-30
NAND Flash市場在2024年第一季度迎來增長
根據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示，由于企業(yè)級（Enterprise）SSD在2024年二月開始大量應(yīng)用于人工智能服務(wù)器，同時PC和智能手機制造商為了對抗價格上漲并持續(xù)增加庫存，2024年第一季度NAND Flash營收環(huán)比增長了28.1%，達到了147.1億美元。
2024-05-29
亞馬遜AWS稱并未停止任何英偉達芯片訂單
此前有消息稱，亞馬遜旗下AWS已暫停英偉達Hopper芯片訂單，以等待更強大的新芯片。AWS之后發(fā)出澄清聲明稱，AWS并未暫停英偉達的任何訂單。
2024-05-23
ASML聲稱可遠程癱瘓臺積電光刻機引發(fā)關(guān)注
據(jù)稱臺積電購買的EUV極紫外光刻機來自荷蘭公司ASML(阿斯麥)，據(jù)稱其中隱藏了一個潛在的致命后門，可以在必要時遠程觸發(fā)自毀功能。
2024-05-23
Rapidus首條試產(chǎn)線施工順利 進度已達30%
日本先進制程代工廠 Rapidus 總裁小池淳義前日向日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣齋藤健表示，Rapidus 晶圓廠項目施工順利，首條試產(chǎn)線進度已達 30%。齋藤健于上周訪問北海道千歲市，并對 Rapidus 的 IIL-M 晶圓廠工地進行了視察。
2024-05-23
三星、SK海力士對通用存儲芯片增產(chǎn)持保守態(tài)度
三星、SK海力士在提高標準DRAM和NAND芯片產(chǎn)量方面仍保持保守態(tài)度。據(jù)悉，8Gb DDR4 DRAM 通用內(nèi)存的合約價在四月份環(huán)比上漲了 17%，但面向閃存盤等便攜存儲設(shè)備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價格卻按兵不動。
2024-05-22
Bourns 推出具有極高大電流能力的屏蔽功率電感器
美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出全新屏蔽功率電感器，該系列具有極高的電流能力、低嘯叫噪音和低 DCR。隨著越來越多數(shù)數(shù)據(jù)驅(qū)動型應(yīng)用的興起，對于能夠匹配其異常高電流規(guī)格的 Power Bead 磁珠型電感需求也日益增加。 Bourns? SRP1060VR 正是為滿足這些要求而設(shè)計，適用于服務(wù)器和工作站、數(shù)據(jù)中心、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和存儲系統(tǒng)、筆記本和臺式計算機、顯卡以及各類電池供電系統(tǒng)。
2024-05-22
SK海力士再獲HBM大單 客戶存款大增
從SK海力士監(jiān)管文件顯示，2024年第一季的客戶存款再次大幅增長。SK海力士指出，收到561億韓元的預(yù)付款和2.7459兆韓元的客戶負債（客戶存款）。
2024-05-22
臺積電推出N4e制程 特殊制程產(chǎn)能提升50%
臺積電在近日舉行的 2024 年歐洲技術(shù)論壇上表示計劃未來將特殊制程產(chǎn)能擴大 50%，提升半導(dǎo)體供應(yīng)鏈彈性。
2024-05-22
Microchip推出新款耐輻射32位單片機SAMD21RT
太空探索正迎來復(fù)蘇期，一系列令人興奮的新任務(wù)相繼展開，如備受期待的Artemis II(阿爾忒彌斯二號計劃)、JAXA SLIM 和 Chandaaryan-3成功登月以及New Space在近地軌道 (LEO)進行新部署。設(shè)計人員需要符合嚴格的輻射和可靠性標準的電子元件，以滿足在惡劣太空環(huán)境中工作的要求。Microchip Technology(微芯科技公司)宣布推出新款耐輻射32位單片機SAMD21RT。該產(chǎn)品基于耐輻射(RT)Arm? Cortex?-M0+技術(shù)，采用64引腳陶瓷和塑料封裝，具備128 KB閃存和16 KB SRAM。
2024-05-20
美光存儲器迎來新進展
研調(diào)機構(gòu)TrendForce集邦咨詢于17日舉辦了AI服務(wù)器論壇。據(jù)美光透露，他們已經(jīng)長時間準備了DDR5技術(shù)，并且HBM的產(chǎn)能在2025年之前已經(jīng)達到了滿載。美光在各種存儲器產(chǎn)品方面有多種布局，并為AI數(shù)據(jù)中心提供了強大的支持。
2024-05-20
臺積電CoWoS產(chǎn)能仍供不應(yīng)求
研究機構(gòu)指出，預(yù)計2024年臺積電CoWoS月產(chǎn)能將達到4萬片，明年年底進一步實現(xiàn)翻倍。不過隨著英偉達B100、B200芯片推出，但由于硅中介層面積增加，12吋晶圓切出數(shù)量減少，臺積電CoWoS產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求。
2024-05-20
HBM產(chǎn)能增加或有助于穩(wěn)定DRAM價格上漲勢頭
因PC、智能手機需求復(fù)蘇仍需時間，造成在智能手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇。2024年4月份指標性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價(大宗交易價格)為每個1.95美元左右、容量較小的4Gb產(chǎn)品價格為每個1.50美元左右，價格皆持平于前一個月份(2024年3月)水準、皆為連續(xù)第2個月呈現(xiàn)持平。截至2024年2月為止、DRAM價格連4個月呈現(xiàn)揚升。DRAM批發(fā)價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。
2024-05-20
Bourns推出TLVR1005T和TLVR1105T系列多相跨電感器電壓調(diào)節(jié)器
美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出全新TLVR1005T 和 TLVR1105T 系列多相跨電感器電壓調(diào)節(jié)器 (TLVR) 電感器。具有極大的電流能力、低感值和低 DC 阻值 (DCR)，旨在滿足當今數(shù)據(jù)驅(qū)動的應(yīng)用性能需求。這類應(yīng)用在處理性能方面不斷發(fā)展，并且需要支持能夠在相同甚至更小的板塊空間內(nèi)匹配其異常高電流規(guī)格的電源珠電感器。Bourns? TLVR1005T 和 TLVR1105T 系列多相 TLVR 電感器滿足服務(wù)器、工作站、數(shù)據(jù)中心、存儲系統(tǒng)和桌面計算機以及顯示適配器和各種電池供電系統(tǒng)等設(shè)備的要求。
2024-05-20
臺積電3nm工藝步入正軌 2024下半年將如期投產(chǎn)N3P節(jié)點
臺積電近日舉辦技術(shù)研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌，N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。
2024-05-20
Rapidus與Esperanto合作開發(fā)低功耗AI芯片
日本晶圓代工初創(chuàng)企業(yè)Rapidus宣布與美國RISC-V架構(gòu)芯片設(shè)計企業(yè)Esperanto簽署了諒解備忘錄，雙方將就面向數(shù)據(jù)中心的人工智能（AI）半導(dǎo)體研發(fā)展開合作，共同開發(fā)低功耗AI芯片。
2024-05-18
本田汽車與IBM達成合作協(xié)議 共同研發(fā)智能化汽車技術(shù)
近日，本田汽車公司和IBM宣布已簽署諒解備忘錄，將為未來汽車合作研發(fā)芯片和軟件等智能化技術(shù)。
2024-05-18
