研究機構指出，預計2024年臺積電CoWoS月產能將達到4萬片，明年年底進一步實現(xiàn)翻倍。不過隨著英偉達B100、B200芯片推出，但由于硅中介層面積增加，12吋晶圓切出數(shù)量減少，臺積電CoWoS產能持續(xù)供不應求。
芯片變大
集邦咨詢預估英偉達推出的 B 系列（包括 GB200、B100、B200），將消耗更多的 CoWoS 封裝產能。
據(jù)悉，臺積電增加了 2024 年全年的 CoWoS 產能需求，預計到年底月產能將接近 4 萬片，相比 2023 年的總產能增長超過 150%。2025 年的總產能有可能增長近一倍。
不過英偉達發(fā)布的 B100 和 B200 芯片，中間層面積（interposer area）將比以前更大，意味著 12 英寸晶圓切割出來的芯片數(shù)量減少，導致 CoWoS 的產能無法滿足 GPU 需求。
HBM
業(yè)內人士表示 HBM 也是一大難題，采用 EUV 層數(shù)開始逐步增加，以 HBM 市占率第一的 SK 海力士為例，該公司于 1α 生產時應用單層 EUV，今年開始轉向 1β，并有可能將 EUV 應用提升 3～4 倍。
除技術難度提升外，隨著 HBM 歷次迭代，HBM 中的 DRAM 數(shù)量也同步提升，堆疊于 HBM2 中的 DRAM 數(shù)量為 4～8 個，HBM3／3E 則增加到 8～12 個，HBM4 中堆疊的 DRAM 數(shù)量將增加到 16 個。
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