研調(diào)機構(gòu)TrendForce集邦咨詢于17日舉辦了AI服務(wù)器論壇。據(jù)美光透露，他們已經(jīng)長時間準(zhǔn)備了DDR5技術(shù)，并且HBM的產(chǎn)能在2025年之前已經(jīng)達(dá)到了滿載。美光在各種存儲器產(chǎn)品方面有多種布局，并為AI數(shù)據(jù)中心提供了強大的支持。
美光在全球布局超過54,000項專利，存儲器和存儲技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，目前已經(jīng)醞釀很久DDR5，下一代會做到1γ制程，采用EUV制程技術(shù)，計劃2025年率先在中國臺灣量產(chǎn)。
美光表示，公司擁有廣泛的產(chǎn)品群組、長周期生命產(chǎn)品，以及完整的系統(tǒng)規(guī)劃。隨著AI改變數(shù)據(jù)中心生態(tài)，讀取方式已經(jīng)不同，必須跟著AI神經(jīng)網(wǎng)路模式運作，因此深度學(xué)習(xí)的讀寫比率已經(jīng)到5000:1，意味著讀取速度遠(yuǎn)超過寫入速度，因此選擇合適的儲存設(shè)備相當(dāng)重要。
對此，美光也進(jìn)行服務(wù)器架構(gòu)優(yōu)化，當(dāng)GPU服務(wù)器和SSD以1:1方式進(jìn)行訓(xùn)練，效能會做到最好。另外，隨著AI時代來臨，在AI效能和成本間的平衡也越發(fā)重要，美光推出能最佳化現(xiàn)有系統(tǒng)并延長設(shè)備壽命的DDR4，速度高達(dá)3,200MT/s。在多核心CPU架構(gòu)下，美光DDR5以6,400MT/s速度，使頻寬增至DDR4的2倍、深度學(xué)習(xí)效能為DDR4的5倍、AI性能提升7倍，支持AI、HPC和企業(yè)負(fù)載。
NAND部分，美光目前推出232層NAND，以穩(wěn)定在產(chǎn)品上應(yīng)用為主，并同步發(fā)展HBM3e甚至HBM4。美光表示，CXL也是未來相當(dāng)重要的發(fā)展方向，目前推出的CZ120為存儲器擴充模組，可提供更多容量、頻寬和靈活配置，是較為前端的應(yīng)用，目前樣品已經(jīng)分享給合作伙伴。
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