臺積電在近日舉行的 2024 年歐洲技術(shù)論壇上表示計(jì)劃未來將特殊制程產(chǎn)能擴(kuò)大 50%，提升半導(dǎo)體供應(yīng)鏈彈性。
除標(biāo)準(zhǔn)制程外，臺積電還可提供一系列的特殊制程 / 工藝代工服務(wù)，包括：
MEMS 傳感器 SoC 工藝、用于 CMOS 圖像傳感器的 CIS 技術(shù)、嵌入式非易失性存儲器（eNVM）、混合 / 射頻產(chǎn)品、模擬芯片、高壓半導(dǎo)體、BCD 功率 IC 和超低功耗（ULP）器件。
臺積電將興建低功耗4納米節(jié)點(diǎn)，稱為N4e，臺積電官方藍(lán)圖將N4e加入N4P和N4X行列。
尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應(yīng)用使用，但可能專門給物聯(lián)網(wǎng)和其他需要消耗電力的設(shè)備。 通常應(yīng)用都采成熟制程，因相對廉價設(shè)備用先進(jìn)制程成本太高。 臺積電為需求做好規(guī)劃，因計(jì)劃要到2029年左右才能落實(shí)。
臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外營運(yùn)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào)，已開始建造N4e節(jié)能制程產(chǎn)線。 張曉強(qiáng)未透露產(chǎn)線位置，產(chǎn)線快速部署是臺積電第一次基本上跳過漫長審查過程，并開始進(jìn)行。
臺積電負(fù)責(zé)國際業(yè)務(wù)的副聯(lián)席 COO 張曉強(qiáng)稱，臺積電近來重新開始為特殊制程專門建設(shè)新晶圓廠，未來四至五年將把特殊制程產(chǎn)能提升 50%，以擴(kuò)大整體半導(dǎo)體代工網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模。
據(jù)悉，臺積電目前在超低功耗領(lǐng)域最先進(jìn)的制程是 N6e，作為一個 7nm 變體節(jié)點(diǎn)，N6e 支持 0.4~0.9V 工作電壓，預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)。消息指臺積電希望將N4e電壓一路降至0.4V，但研討會并未提到性能或?qū)傩栽敿?xì)信息。
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