SK海力士HBM負(fù)責(zé)人Kim Gwi-wook表示，當(dāng)前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程，最早在2026年推出HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。
除了 HBM4E 外，有消息稱 SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
目前的主流 HBM3E 產(chǎn)品均采用 24Gb DRAM 顆粒，這使得 HBM3E 內(nèi)存可在 8 層堆疊下達(dá)到 24GB 單堆棧容量，如果采用 12 層堆疊，那 HBM3E 堆棧就可達(dá)到 36GB。
未來的 HBM4E 內(nèi)存更新到 32Gb DRAM 裸片后，12 層堆疊版本就能實現(xiàn) 48GB 單顆容量，16 層版本更是可達(dá)到 64GB 的超大規(guī)模，為 AI 用例創(chuàng)造更多可能。
Kim Kwi Wook 預(yù)計，HBM4E 內(nèi)存可較 HBM4 在帶寬上提升 40%、密度提升 30%，同時能效也提高 30%。
HBM4 / HBM4E 的開發(fā)“加速過程”無疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對高性能內(nèi)存的強勁需求，日益強大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
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