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消息稱三星HBM3E芯片未通過英偉達驗證
2024-05-18

存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E,美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達驗證,并獲訂單,三星HBM3E卻未通過驗證。

臺積電不僅向英偉達提供先進 AI GPU 的代工,同時還負責 AI GPU 同 HBM 內(nèi)存間的 CoWoS 先進封裝,因此也是英偉達驗證審核過程的重要參與者。


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一位熟悉三星電子與英偉達間供應關系的消息人士向韓媒表示,三星電子 8Hi HBM3E 的驗證流程就是卡在臺積電審批環(huán)節(jié)。

這位消息人士宣稱,三星產(chǎn)品未能通過測試的主要原因是臺積電在檢測中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設定的檢測標準”。

三星2024年第一季財報表示,八層垂直堆疊HBM3E4月量產(chǎn),第二季會量產(chǎn)12層垂直堆疊,比原計劃下半年提前。三星說是為了應付生成式AI應用日漸成長的需求,故加速新HBM生產(chǎn)進度。

有業(yè)內(nèi)人士透露,如果將檢測標準做相應的調(diào)整,三星的HBM3E通過英偉達的驗證環(huán)節(jié)將不成問題。

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