近日，尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會有進一步提升。據(jù)悉，尼康這款曝光機采用增強型iAS設(shè)計，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。
分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。
對比當前型號，它的整體生產(chǎn)效率可提高10-15%，創(chuàng)下尼康光刻設(shè)備的新高，每小時可生產(chǎn)280片晶圓，停機時間也更短。尼康還表示，在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和內(nèi)存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導(dǎo)體制造，堪稱最佳解決方案。
另據(jù)了解，新光刻機的光源技術(shù)是20世紀90年代就已經(jīng)成熟的“i-line”，再加上相關(guān)零件、技術(shù)的成熟化，價格將比競品便宜20-30%左右。
除了價格方面的優(yōu)勢，尼康的ArF浸沒式光刻機還具有優(yōu)秀的可靠性和可維護性。該設(shè)備采用了先進的機械系統(tǒng)和電子控制系統(tǒng)，確保了其長期穩(wěn)定運行。此外，尼康還提供了全面的售后服務(wù)和技術(shù)支持，幫助客戶解決各種使用過程中可能出現(xiàn)的問題。
目前尚不清楚尼康這款光刻機能制造多少納米的芯片。許多芯片制造商表示，他們期待尼康的這款新設(shè)備能夠進一步提升他們的制造效率和產(chǎn)能，以滿足日益增長的市場需求。同時，也有一些專家指出，尼康的這款新設(shè)備將為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來新的技術(shù)標桿，推動整個行業(yè)的技術(shù)進步和發(fā)展。
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