據(jù)報道，三星已支出約2000億韓元，準(zhǔn)備開始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源管理IC，而且計劃采用8英寸晶圓來生產(chǎn)這類芯片，跳過多數(shù)功率半導(dǎo)體業(yè)者著手的入門級6英寸晶圓。
一位知情人士表示，“我了解到三星電子決定推動一項計劃，將用于SiC和GaN開發(fā)的LED工藝中使用的部分8英寸設(shè)備混合使用，以提高開發(fā)效率。”
SiC和GaN被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅相比，它具有出色的耐高溫和高電壓耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以電動汽車為代表的汽車市場對它的需求不斷增加。由于開關(guān)速度快，GaN被評價為更適合高頻環(huán)境下的無線通信。
三星2023年初成立功率半導(dǎo)體工作小組，為制造SiC和GaN半導(dǎo)體的第一步。小組除了三星半導(dǎo)體員工，LED團(tuán)隊和三星高級技術(shù)學(xué)院（SAIT）也有參與。三星規(guī)劃用8英寸晶圓制造GaN和SiC半導(dǎo)體，直接跳過多數(shù)功率半導(dǎo)體商用6英寸晶圓切入階段。
Micro LED也會用8英寸晶圓生產(chǎn)，代表三星高級技術(shù)學(xué)院使三星Micro LED生產(chǎn)擁有GaN相關(guān)技術(shù)。
三星生產(chǎn)8英寸晶圓的SiC和GaN產(chǎn)品引起了廣泛關(guān)注。目前，SiC產(chǎn)品仍主要使用4/6英寸晶圓生產(chǎn)，而GaN產(chǎn)品則逐漸采用8英寸晶圓生產(chǎn)。三星的發(fā)言人表示，他們的SiC半導(dǎo)體業(yè)務(wù)目前仍處于“研究階段”，尚未做出任何決定。