據(jù)外媒報(bào)道，三星將從2023年上半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)第三代4nm芯片，以?shī)Z回部分失去的客戶(hù)。報(bào)道指出，三星電子4納米在發(fā)展之初良率不穩(wěn)，如今在性能、功耗及面積上較最初的工藝均有進(jìn)步。
據(jù)三星電子12日發(fā)布的業(yè)務(wù)報(bào)告，三星電子將在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)4納米2.3代制芯晶片，這是三星首度明確提到4納米后續(xù)版本的量產(chǎn)時(shí)間。
與 4 納米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代產(chǎn)品表現(xiàn)出了更好的性能，而且還帶來(lái)了更低的功耗和更小的面積。不過(guò)，三星電子在 SF4E 芯片實(shí)現(xiàn)商用之后在芯片產(chǎn)量的管理上也遇到了一系列難題，最終因?yàn)槟芎谋憩F(xiàn)不佳再加上產(chǎn)能限制將大客戶(hù)高通拱手讓給了臺(tái)積電。
業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，三星電子目前 4 納米工藝良率可達(dá)到 60%，而臺(tái)積電同類(lèi)型良率可達(dá)到 70~80%。專(zhuān)家們認(rèn)為，三星電子良品率正在迅速提高，后續(xù)產(chǎn)品的量產(chǎn)也在加快。
隨著三星電子在先進(jìn)工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產(chǎn)能，預(yù)計(jì)可在 5nm 級(jí)以上的工藝量產(chǎn)方面與臺(tái)積電進(jìn)一步進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。